FJV4101RMTF


Купить FJV4101RMTF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FJV4101RMTF
Версия для печати

Технические характеристики FJV4101RMTF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition200MHz
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход