DDTC115GE-7
|
TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 100K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-523 |
| Корпус | SOT-523 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
