DDTC123JE-7


Купить DDTC123JE-7 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DDTC123JE-7
Версия для печати

Технические характеристики DDTC123JE-7

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-523
КорпусSOT-523
Product Change NotificationEncapsulate Change 09/July/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DDTC123JE (Биполярные транзисторы)

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Также в этом файле: DDTC123JE-7

Производитель:
Diodes Incorporated
//www.diodes.com

DDTC123JE-7 datasheet
71.69Kb
4стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход