Версия для печати
Технические характеристики 2N4923

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 500mA, 1V
Power - Max	30W
Frequency - Transition	3MHz
Корпус	TO225AA

2N4923 Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N4923 datasheet 110.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ST MICROELECTRONICS
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	STMicroelectronics
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ON SEMICONDUCTOR	36	24.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	13 586	11.58
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	4 784	9.22
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz		340	22.00
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	284	12.44

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	MOTOROLA
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18			214.32
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	SILICONIX
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	MOTOROLA
		2N4393		Транзистор N-FT 40В 0.005A TO18	VISHAY
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOSHIBA
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)		3	180.00
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	TOS
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ЯПОНИЯ
		2SC5171		Биполярный транзистор NPN 180V, 2A, 20W, 200MHz (Comp. 2SA1930)	ISC
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	HITACHI
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)			20.96
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	HIT
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	СИНГАПУР
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	SANYO ELECTRIC
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	NO TRADEMARK
		2SD1609		Биполярный транзистор NPN 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SB1109)	ISCSEMI
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP		77	315.00
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	8	953.70
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	959	440.00
		КТ818ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	УЛЬЯНОВСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный		325	68.25
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	КРЕМНИЙ	80	86.70
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	БРЯНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	МИНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	УЛЬЯНОВСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	ИНТЕГРАЛ
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"