2SD2012

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD2012		57.00

Версия для печати

Технические характеристики 2SD2012

Корпус	TO-220F
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD2012

Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SD2012 datasheet
167.27Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOSHIBA
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOS
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)		52.40
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	КИТАЙ

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3675	Биполярный транзистор NPN 1500V, 0.1A, 10W (Dynamic Focus)	SANYO	4	117.30
2SC3675	Биполярный транзистор NPN 1500V, 0.1A, 10W (Dynamic Focus)			66.76
2SC4064		SK
2SC4064
2SK246GR	Транзистор			34.00
2SK246GR	Транзистор	TOSHIBA
2SK246GR	Транзистор	TOS
BSS129		SIEMENS
BSS129		INFINEON
BSS129
ИВ-3А	Индикатор люминесцентный вакуумный сверхминиатюрный . Предназначен для формирования ...		186	70.40
ИВ-3А	Индикатор люминесцентный вакуумный сверхминиатюрный . Предназначен для формирования ...	САРАТОВ