TIP29A


Купить TIP29A ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TIP29A
Версия для печати

Технические характеристики TIP29A

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 4V
Power - Max2W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
Product Change NotificationLead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
Frequency - Transition3MHz
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TIP29A

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

TIP29A datasheet
53.67Kb
4стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный     742 27.12 
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   КРЕМНИЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   БРЯНСК 1 210 32.00 
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   ИНТЕГРАЛ 6 40.34 
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ815Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход