| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 310mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
|
|
568.00
|
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
564ПР1 |
|
|
НЗПП
|
|
|
|
 |
|
BY297 |
|
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
BY297 |
|
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
|
|
|
|
|
|
|
BY297 |
|
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
|
|
|
|
|
|
|
BY297 |
|
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BY297 |
|
Импульсный диод 1.5А, 200 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LIT
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
26.28
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
348
|
|
|
|
|
 |
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
|
9 124
|
12.86
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
YOUTAI
|
42 994
|
15.66
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
UMW
|
4 240
|
13.43
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MC34063ADR |
|
ИС управления DC-DC конвертера, Vcc=3 - 40v, tol=2%, Imax=1.5A t=0.+70C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
628
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
339
|
27.90
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
1 732
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 586
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
1988
|
|
|
|
Версия для печати
