Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
|
96 480
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DC COMPONENTS
|
19 844
|
2.70
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DIOTEC
|
14 269
|
1.77
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
14 424
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
5 787
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
2 720
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
31
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
HOTTECH
|
36 641
|
1.21
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PANJIT
|
1
|
1.88
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YOUTAI
|
13 207
|
1.29
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YJ
|
138 757
|
1.25
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
JSCJ
|
134 772
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
UMW
|
4 320
|
1.97
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
CJ
|
2 240
|
1.60
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
292
|
3.98
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
188 394
|
3.45
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
52 293
|
6.15
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
568 349
|
8.06
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
76
|
14.08
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
273 920
|
7.96
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
31 200
|
3.94
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
|
69.32
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
|
42 556
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
UTC
|
12 000
|
1.01
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIOTEC
|
3 775
|
1.35
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
FAIRCHILD
|
8 832
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
NXP
|
5 536
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
PHILIPS
|
8 908
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGWELL TECHINOLOGY CORP LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
RECTRON
|
38
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
INFINEON
|
20
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
HOTTECH
|
64 228
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
YJ
|
393 204
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MMBT3906 |
|
Транзистор PNP 40В, 250 МГц, 0,31 Вт
|
JSCJ
|
31 552
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
|
|
855.76
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC18F2550-I/SO |
|
Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|