CM75DY-12H


2 IGBT 600V 75A 3-поколение, H-Series

Купить CM75DY-12H ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
CM75DY-12H
Версия для печати

Технические характеристики CM75DY-12H

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияIGBTMOD™
КонфигурацияHalf Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 75A
Current - Collector (Ic) (Max)75A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce7.5nF @ 10V
Power - Max310W
ВходStandard
NTC ThermistorНет
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)Module
КорпусModule
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CM75DY-12H (IGBT модули)

High Power Switching Use Insulated Type

Производитель:
Mitsubishi Electric Semiconductor
//www.mitsubishichips.com

CM75DY-12H datasheet
51.18Kb
4стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход