IXTN21N100


Купить IXTN21N100 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTN21N100 MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXTN21N100

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMegaMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs550 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C21A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8400pF @ 25V
Power - Max520W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXTN21N100 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход