APTM120U10DAG


Купить APTM120U10DAG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APTM120U10DAG MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Версия для печати

Технические характеристики APTM120U10DAG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 58A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C116A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds28900pF @ 25V
Power - Max3290W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP6
КорпусSP6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APTM120U10DAG datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход