APTM100H35FT3G


Купить APTM100H35FT3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APTM100H35FT3G MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Версия для печати

Технические характеристики APTM100H35FT3G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type4 N-Channel (H-Bridge)
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs420 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C22A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs186nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5200pF @ 25V
Power - Max390W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP3
КорпусSP3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APTM100H35FT3G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход