APTM100DA18T1G
|
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| Power - Max | 657W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP1 |
| Корпус | SP1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
