IXFN32N80P


Купить IXFN32N80P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN32N80P MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXFN32N80P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolarHV™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs270 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C29A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8820nF @ 25V
Power - Max625W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN32N80P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход