IXFN230N20T


Купить IXFN230N20T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN230N20T MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227
Версия для печати

Технические характеристики IXFN230N20T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияGigaMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C220A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs378nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds28000pF @ 25V
Power - Max1090W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN230N20T datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход