Версия для печати
Технические характеристики SQP10AJB-27R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	27
Мощность (Ватт)	10W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	1.890" L x 0.374" W (48.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

SQP10AJB-27R datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для навесного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIR
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	NUOVA MISTRAL
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	PHILIPS
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIRCHILD
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIRCHILD	51
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	Fairchild Semiconductor
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FSC
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	ONS
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	ONS-FAIR
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	102.00
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		3 879	26.59
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	МЕКСИКА
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	VBSEMI	299	82.85
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	1
		RCA 4010 (2703)B ГНЕЗДО НА БЛОК			SHE
		КТ 814 Г			RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 437	29.40
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	2 136	50.18
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	11 244	34.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 748	34.00
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"