L78L15ABUTR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Топология регулятора | Positive Fixed |
| Напряжение выходное | 15V |
| Напряжение входное | Up to 35V |
| Напряжение - падение (Typ.) | 1.7V @ 40mA |
| Число регуляторов | 1 |
| Ток выходной | 100mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-243AA |
| Корпус | SOT-89-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AMS1117-ADJ | 13 920 | 3.72 | ||||||
| AMS1117-ADJ | AMS |
|
|
|||||
| AMS1117-ADJ | ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS |
|
|
|||||
| AMS1117-ADJ | КИТАЙ |
|
|
|||||
| AMS1117-ADJ | YOUTAI | 71 547 | 5.65 | |||||
| AMS1117-ADJ | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| AMS1117-ADJ | UMW |
|
|
|||||
| AMS1117-ADJ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 176 |
|
|||||
| AMS1117-ADJ | UMW (YOUTAI SEMICONDUCTOR CO., LTD.) | 32 | 6.20 | |||||
| IGW75N60H3 | INFINEON |
|
|
|||||
| IGW75N60H3 |
|
|
||||||
 |
L78L33ABUTR | ST MICROELECTRONICS | 8 181 | 15.50 | ||||
|
|
L78L33ABUTR | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | 18 852 | 7.98 | |||||
|
|
L78L33ABUTR | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | ST MICROELECTRO |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | STMICROELECTR |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | FULIHAO |
|
|
||||
|
|
L78L33ABUTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 608 |
|
||||
|
|
LM211DR | TEXAS INSTRUMENTS | 2 073 | 18.84 | ||||
|
|
LM211DR | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | 474 | 13.20 | |||||
|
|
LM211DR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | UMW | 1 861 | 13.43 | ||||
|
|
LM211DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 752 |
|
||||
|
|
LM211DR | 130 |
|
|
||||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | ST MICROELECTRONICS | 7 447 | 8.95 | |||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | 31 032 | 5.29 | ||||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | STMicroelectronics |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | ST MICROELECTR |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | МАРОККО |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | ST MICROELECTRO |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | STMICROELECTR |
|
|
|||
| LM258DT |
|
2xOp-Amp 32V -25.+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 579 |
|
