Версия для печати
Технические характеристики UCC2893PWG4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
PWM Type	Current Mode
Число выходов	1
Частота -макс.	1MHz
Duty Cycle	74%
Напряжение питания	8.5 V ~ 16 V
Buck	Нет
Boost	Нет
Flyback	Да
Inverting	Нет
Doubler	Нет
Divider	Нет
Cuk	Нет
Isolated	Да
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Корпус (размер)	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

UCC2893PWG4 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

DC/DC контроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	3 144	2.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	30 459	2.53
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	21 586	2.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	414
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	22 486	1.96  >100 шт.   0.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		52 846	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.74
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 351	1.02
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	5.90
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	270 250	1.29
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	14 400	1.20  >100 шт.   0.60
		IRFB4020PBF		Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB4020PBF		Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R	INFINEON
		IRFB4020PBF		Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
		IRS21867SPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRS21867SPBF
		IRS21867SPBF			INFINEON
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	TEXAS INSTRUMENTS	192	47.23
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)		2 800	28.51
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	TEXAS
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	FULIHAO TECH
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	TECH PUB	6 221	16.26
		LMV331IDBVR		Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)	FULIHAO	3 343	10.09
		STP11NM60FD		N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS
		STP11NM60FD		N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	STMicroelectronics
		STP11NM60FD		N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS SEMI	32
		STP11NM60FD		N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"