| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 608
|
1.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
28 125
|
3.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
85 263
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
302 698
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
33 635
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.71
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
3 436
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
102 977
|
2.05
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
50 400
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
133 828
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
769
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 732
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
2375
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
935
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DAYA
|
4 800
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEXIN
|
4 800
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ZITEK
|
4 000
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
RUME
|
72 000
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SLKOR
|
21 600
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
52
|
33.06
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO TECH
|
304
|
11.37
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TECH PUB
|
1 611
|
21.86
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO
|
932
|
11.87
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
26
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
|
|
|
|