SG2526BN
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| PWM Type | Voltage Mode |
| Число выходов | 2 |
| Частота -макс. | 500kHz |
| Duty Cycle | 49% |
| Напряжение питания | 8 V ~ 35 V |
| Buck | Да |
| Boost | Нет |
| Flyback | Нет |
| Inverting | Нет |
| Doubler | Нет |
| Divider | Нет |
| Cuk | Нет |
| Isolated | Нет |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 18-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 430К 1% |
|
|
||||||
| 1206 12К 1% |
|
|
||||||
| APT60M75JVR | APT |
|
|
|||||
| APT60M75JVR | Microsemi Power Products Group |
|
|
|||||
| APT60M75JVR |
|
|
||||||
 |
 |
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FSC |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | 1 | 498.00 | ||
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
