REF198ES


Купить REF198ES по цене 595.20 руб.  (без НДС 20%)
REF198ES
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
REF198ES (ANALOG DEVICES) 78 595.20 

Версия для печати

Технические характеристики REF198ES

Lead Free Status / RoHS StatusRoHS non-compliant
СерияREF19
Reference TypeSeries, Precision
Напряжение выходное4.096V
Допустимые отклонения емкости±2mV
Температурный коэфициент5ppm/°C
Напряжение входное3.4 V ~ 15 V
Количество каналов1
Ток в рабочей точке(ВАХ)15µA
Ток выходной30mA
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOIC
Tolerance±2mV
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    LM317LIDR     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317LIDR       4 цена радиодетали
    LM317LIDR     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317LIDR     0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LM317LIDR     4-7 НЕДЕЛЬ 788 цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONS 113 5.33 
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR 160 цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.     20 016 2.92 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 4 581 1.86 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 1 680 8.27 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     3 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SS1060FL     PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SS1060FL       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SS1060FL     SUNTAN 60 1.80 
    SS1060FL     KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SS1060FL     SUNMATE 159 1.12 
    SS1060FL     KOME 1 180 2.25 
    SS1060FL     JXND 1 968 1.68 
>100 шт.   0.84 
    U.FL-R-SMT-1[80]     HI 38 815 12.23 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход