| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
|
39
|
186.00
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
9
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
JSMICRO
|
671
|
95.52
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
6
|
36.01
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
2 030
|
32.34
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
2 960
|
20.34
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
260
|
57.77
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
25 654
|
28.05
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
28 840
|
25.15
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
8 000
|
13.86
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 134
|
11.16
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
12 641
|
9.29
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
21 756
|
7.37
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
3 817
|
5.72
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
28
|
6.20
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
1605
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
КИТАЙ
|
1
|
4.50
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
970
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NTD20N06LT4G |
|
|
YOUTAI
|
896
|
14.39
|
|