NIS6111QPT1G
|
DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLP
|
Версия для печати
Технические характеристики NIS6111QPT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 09/Jan/2008 Product Discontinuation 03/Oct/20 |
| Серия | BERS™ |
| Сфера применения | Flyback, Forward Converters |
| FET Type | N-Channel |
| Число выходов | 1 |
| Внутренняя коммутация | Да |
| Delay Time - ON | 45ns |
| Delay Time - OFF | 35ns |
| Напряжение питания | 4.8 V ~ 5.2 V |
| Ток выходной | 1.3mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 32-QFN Exposed Pad |
| Корпус | 32-PLLP (9x9) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
