IPS022GTR
|
IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип | Low Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Сопротивление (On-State) | 130 mOhm |
| Ток выходной / канал | 1A |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 10A |
| Напряжение питания | 4 V ~ 6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой |
|
518.36 | |||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
BTS621L1 |
|
Транзистор полевой | SIEMENS |
|
|
||
 |
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 44 | 629.75 | |
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
|
904.00 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY |
|
|
|
|
|
MD2202-D128-X |
|
SanDisk |
|
|
|||
| НКИ 1.5-4 | 19 600 | 2.29 | ||||||
| НКИ 1.5-4 | КВТ | 1 200 | 5.90 | |||||
| НКИ 1.5-4 | KVT | 3 340 | 3.43 |
