Версия для печати
Технические характеристики VND5N07-E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	OMNIFET II™
Тип	Low Side
Тип входа	Non-Inverting
Число выходов	1
Сопротивление (On-State)	200 mOhm
Ток - выходной (пиковое значение)	5A
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252

VND5N07-E datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внутреннее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL	239	22.32
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...			29.52
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL CORPORATION	2 256
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	11
		AT24C04N-10SI-2.7		Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	288
		AXIAL,5 A, 5X20 (GLASS), FAST-ACTING FUSE,LEAD KLS5-1020
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA		75	75.84
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	ST MICROELECTRONICS	4 952	120.90
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	1
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	KY	7	28.38
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	6181
		IPD053N08N3 G			INFINEON
		IPD053N08N3 G			Infineon Technologies
		ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5Х20 1.6А СТ			FUSES	8	2.98

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"