IX6R11S6T/R
|
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики IX6R11S6T/R
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 120ns |
| Ток пиковое значение | 6A |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Напряжение питания | 10 V ~ 35 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус | 18-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
