Версия для печати
Технические характеристики MAX4420CPA+

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	35ns
Ток пиковое значение	6A
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Напряжение питания	4.5 V ~ 18 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	193.80
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	386.40
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	111	40.00
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		1	82.80
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 253
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A		1	72.00
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	69
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	9.60
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	17 644	3.54
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	5 006	2.14
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	12.24
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ	3 440	3.94
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	17 600	1.97
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	16 497	5.35
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R			320.00
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	STMicroelectronics
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ФИЛИППИНЫ
		STP10NK60Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"