Версия для печати
Технические характеристики DS1225AB-150

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти	64K (8K x 8)
Скорость	150ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	28-DIP Module (600 mil), 28-EDIP
Корпус	28-EDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		7815 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +15V, 1.0A, 4%, 0..+125C			42.36
		7815 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +15V, 1.0A, 4%, 0..+125C	KEC
		7815 ISO		Стабилизатор напряжения линейный, +15V, 1.0A, 4%, 0..+125C	МАРОККО
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	84.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		35	70.40
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	2
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	ST MICROELECTRONICS
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	FAIR
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	FAIRCHILD
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	STMicroelectronics
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	Fairchild Optoelectronics Group
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	ST MICROELECTR
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	ГЕРМАНИЯ
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	КИТАЙ
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	NATIONAL SEMICONDUCTOR	144
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	TEXAS
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us		58	90.00
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	STMICROELECTR
		LF347N		4xOp-Amp JFET +-18V 13V/us	1
		N87C196KB16			INTEL
		N87C196KB16					50.12
		OP177GP		Операционный усилитель прецизионный 0.4МГц 0.1В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS
		OP177GP		Операционный усилитель прецизионный 0.4МГц 0.1В/мкс	ANALOG DEVICES
		OP177GP		Операционный усилитель прецизионный 0.4МГц 0.1В/мкс			128.88
		OP177GP		Операционный усилитель прецизионный 0.4МГц 0.1В/мкс	ANALOG DEVICES

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"