IDT70T633S10BCI
|
IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
|
Версия для печати
Технические характеристики IDT70T633S10BCI
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Объем памяти | 9M (512K x 18) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 256-LBGA |
| Корпус | 256-CABGA (17x17) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
