IDT70T633S12BCI
|
IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA
|
Версия для печати
Технические характеристики IDT70T633S12BCI
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Формат памяти | RAM |
Тип памяти | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Объем памяти | 9M (512K x 18) |
Скорость | 12ns |
Интерфейс подключения | Parallel |
Напряжение питания | 2.4 V ~ 2.6 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 256-LBGA |
Корпус | 256-CABGA (17x17) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.