IDT70V3579S4BC8
|
IC SRAM 1.125MBIT 4NS 256BGA
|
Версия для печати
Технические характеристики IDT70V3579S4BC8
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Объем памяти | 1.125M (32K x 36) |
| Скорость | 4ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 256-LBGA |
| Корпус | 256-CABGA (17x17) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
