HEF4011BT,652
|
IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | 4000B |
| Логический тип | NAND Gate |
| Число входов | 2 |
| Число каналов | 4 |
| Ток выходной макс., мин. | 2.4mA, 2.4mA |
| Напряжение питания | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 14-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4822A | AOS |
|
|
|||||
| AO4822A | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
|
|
|||||
| AO4822A |
|
430.40 | ||||||
| AO4822A | A&O |
|
|
|||||
| AO4822A | ALPHA & OMEGA |
|
|
|||||
 |
 |
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY | 18 477 |
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | Vishay/Dale |
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 |
|
|
||
| PDTC123ET | PHILIPS |
|
|
|||||
| PDTC123ET | NXP |
|
|
|||||
| PDTC123ET | 2 400 | 4.65 | ||||||
| PDTC123ET | PHILIPS | 10 500 |
|
|||||
| RC0805JR-07100KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805JR-07100KL | 4 000 | 14.44 | ||||||
| RC0805JR-07100KL | PHYCOMP | 56 773 |
|
|||||
| RC0805JR-07100KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805JR-07100KL | Yageo | 1 001 |
1.02 >500 шт. 0.34 |
|||||
 |
T491A475K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7мкФ, 10 В | KEMET | 8 | 13.14 | ||
|
|
T491A475K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7мкФ, 10 В |
|
9.20 | |||
|
|
T491A475K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7мкФ, 10 В | KEMET |
|
|
||
|
|
T491A475K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7мкФ, 10 В | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
T491A475K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7мкФ, 10 В | KEM |
|
|
