|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC489A |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC489A |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC489A |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC489A |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC489A |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC489A |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
71 251
|
1.08
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
9 642
|
2.47
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
14 768
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 375
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
6 187
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
873 845
|
1.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 436
|
1.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
3.02
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
20 756
|
1.47
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14 103
|
2.01
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
HEF4093BT,652 |
|
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И-HЕ, СMOS, -0.5 ... 18В, +/-10мА
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HEF4093BT,652 |
|
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И-HЕ, СMOS, -0.5 ... 18В, +/-10мА
|
|
|
|
|
|
|
HEF4093BT,652 |
|
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И-HЕ, СMOS, -0.5 ... 18В, +/-10мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4093BT,652 |
|
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И-HЕ, СMOS, -0.5 ... 18В, +/-10мА
|
NEX
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
|
|
|
|
|
|
LM358AN |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.1МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC14013BCP |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP -55/+125 C
|
|
4
|
43.20
|
|