STR755FV2T6
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STR7 |
| Процессор | ARM7 |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 60MHz |
| Подключения | I²C, SPI, SSI, SSP, UART/USART |
| Периферия | DMA, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 72 |
| Размер программируемой памяти | 256KB (256K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 16K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 3 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 16x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 100-LQFP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 440297-1 | AMPIRE |
|
|
|||||
| 440297-1 | AMP |
|
|
|||||
| 440297-1 | AMP | 46 |
|
|||||
| 440297-1 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| K4S281632I-UC75 | SAMSUNG |
|
|
|||||
| K4S281632I-UC75 | SAM |
|
|
|||||
| K4S281632I-UC75 |
|
461.00 | ||||||
| K4S281632I-UC75 | SAMSUNG |
|
|
|||||
| MDN-4J NI РОЗЕТКА КАБ. |
|
79.32 | ||||||
| MDN-4J NI РОЗЕТКА КАБ. | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MDN-6J РОЗЕТКА ПЕЧАТН ПОЛН МЕТАЛЛ | AUK |
|
|
|||||
| MDN-6J РОЗЕТКА ПЕЧАТН ПОЛН МЕТАЛЛ | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MDN-6J РОЗЕТКА ПЕЧАТН ПОЛН МЕТАЛЛ | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MDN-6J РОЗЕТКА ПЕЧАТН ПОЛН МЕТАЛЛ | KLS |
|
|
|||||
 |
 |
NCP1117DT33G |
|
Стабилизатор напряжения линейный положительной полярности с низким падением ... | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1117DT33G |
|
Стабилизатор напряжения линейный положительной полярности с низким падением ... | ONS |
|
|
|
|
|
|
NCP1117DT33G |
|
Стабилизатор напряжения линейный положительной полярности с низким падением ... | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1117DT33G |
|
Стабилизатор напряжения линейный положительной полярности с низким падением ... |
|
|
||
|
|
|
NCP1117DT33G |
|
Стабилизатор напряжения линейный положительной полярности с низким падением ... | ON SEMICONDUCTO |
|
|
