|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
1 432
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 532
|
2.81
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 748
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
192 378
|
1.98
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
99
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
616
|
1.24
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
185
|
3.10
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
68
|
2.72
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
162 568
|
1.98
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
26 960
|
1.84
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
МАХ
|
15
|
236.16
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MC7812BTG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения (Vout=12.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC7812BTG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения (Vout=12.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ONS
|
40
|
44.08
|
|
|
|
MC7812BTG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения (Vout=12.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
|
|
43.64
|
|
|
|
MC7812BTG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения (Vout=12.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC7812BTG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения (Vout=12.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ...
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ПРОТОН
|
1 538
|
160.00
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
|
80
|
105.00
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
АОТ166А |
|
(5П32Е)
|
ПРОТОН
|
|
|
|