NUS5530MNR2G


Купить NUS5530MNR2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NUS5530MNR2G
Версия для печати

Технические характеристики NUS5530MNR2G

Корпус8-DFN
Корпус (размер)8-TFDFN Exposed Pad
Тип монтажаПоверхностный
Current Rating2A PNP, 3.9A P-Channel
Номинальное напряжение35V PNP, 20V P-Channel
Сфера примененияGeneral Purpose
Transistor TypeNPN, P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход