NTHD2110TT1G


Купить NTHD2110TT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHD2110TT1G MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Версия для печати

Технические характеристики NTHD2110TT1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1072pF @ 6V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTHD2110TT1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход