NTD3817N-1G


Купить NTD3817N-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD3817N-1G MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD3817N-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.9 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.6A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds702pF @ 12V
Power - Max1.2W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD3817N-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход