NTMSD6N303R2SG


Купить NTMSD6N303R2SG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMSD6N303R2SG MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики NTMSD6N303R2SG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияFETKY™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds950pF @ 24V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTMSD6N303R2SG datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход