NTD4302-1G


Купить NTD4302-1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD4302-1G MOSFET N-CH 30V 5.3A IPAK MOSFET N-CH 30V 5.3A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD4302-1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLTB Notification
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.4A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2400pF @ 24V
Power - Max1.04W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD4302-1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход