NTD12N10T4


Купить NTD12N10T4 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD12N10T4 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики NTD12N10T4

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 20/Aug/2008
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
Power - Max1.28W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTD12N10T4 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход