IRF640FP

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP

Версия для печати

Технические характеристики IRF640FP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MESH OVERLAY™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1560pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640FP datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1480	Биполярный транзистор	SANYO
2SA1480	Биполярный транзистор			55.28
2SA1694-Y+2SC4467-Y ПАРА		SK
2SA1694-Y+2SC4467-Y ПАРА
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	SANYO
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	КИТАЙ
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	FAIR
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	NATIONAL SEMICONDUCTOR
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	NXP
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	ON SEMICONDUCTOR
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	PHILIPS
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	FAIRCHILD
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	FAIRCHILD
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	NATIONAL SEMICONDUCTOR
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	NXP
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	ON SEMICONDUCTOR	307
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	PHILIPS	35 200
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W	Fairchild Semiconductor
MPSA14	Транзистор NPN Darlington 30V 0,5A 0,5W
TLC2264CDG4		Texas Instruments
TLC2264CDG4