IRFS17N20DTRL


Купить IRFS17N20DTRL ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS17N20DTRL MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики IRFS17N20DTRL

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs170 mOhm @ 9.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
Power - Max3.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFS17N20DTRL datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход