IRFS9N60A


Hexfet® power mosfet

Купить IRFS9N60A ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFS9N60A
Версия для печати

Технические характеристики IRFS9N60A

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs750 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.2A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
Power - Max170W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS9N60A (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFS9N60A datasheet
136.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход