FQD7P06TM_F080


Купить FQD7P06TM_F080 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD7P06TM_F080 MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD7P06TM_F080

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs451 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.4A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds295pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD7P06TM_F080 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход