FDD5N50FTM_WS


Купить FDD5N50FTM_WS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDD5N50FTM_WS MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FDD5N50FTM_WS

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUniFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55 Ohm @ 1.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
Power - Max40W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDD5N50FTM_WS datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход