FQB3N60CTM


Купить FQB3N60CTM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQB3N60CTM MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQB3N60CTM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationPassivation Material Change 14/May/2008
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds565pF @ 25V
Power - Max75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQB3N60CTM datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход