FDD6N50TF


Купить FDD6N50TF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDD6N50TF MOSFET N-CH 500V 6A DPAK MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FDD6N50TF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUniFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
Power - Max89W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDD6N50TF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход