FQU3N60CTU


Купить FQU3N60CTU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQU3N60CTU MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQU3N60CTU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationPassivation Material Change 14/May/2008
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds565pF @ 25V
Power - Max50W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQU3N60CTU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход