FQPF55N10

Версия для печати

Технические характеристики FQPF55N10

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 17.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	34.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2730pF @ 25V
Power - Max	60W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF55N10 (MOSFET)

100V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF55N10 datasheet
652.2 Кб