FQI4N90TU


Купить FQI4N90TU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQI4N90TU MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQI4N90TU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Sept/2008
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.2A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
Power - Max3.13W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQI4N90TU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход